VT6M1T2CR（ROHM 罗姆，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-SMD，扁平引线）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：VT6M1T2CR

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 和 P 沟道

FET功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：100mA

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 100μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7.1pF @ 10V

功率-最大值：120mW

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：6-SMD，扁平引线

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基本参数：

电子零件型号：VT6M1T2CR

原始制造厂商：ROHM（罗姆）

技术标准参数：MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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