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零件图片（仅供参考）
SP8J3TB
规格参数
  • ROHM罗姆半导体完整型号: SP8J3TB
  • 制造厂家名称: Rohm Semiconductor
  • 功能总体简述: MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC
  • 系列: -
  • FET 类型: 2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能: 逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）: 30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.5A
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 90 毫欧 @ 3.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 5.5nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 490pF @ 10V
  • 功率 - 最大值: 2W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装: 8-SOIC N
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    基本参数：
  • 电子零件型号：SP8J3TB
  • 原始制造厂商：ROHM（罗姆）
  • 技术标准参数：MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC
  • 产品应用分类：FET - 阵列
  • 点击此处查询SP8J3TB的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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