SH8MA4TB1（ROHM 罗姆，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽））

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SH8MA4TB1

制造商：Rohm Semiconductor

描述：SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 和 P 沟道

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），8.5A（Ta）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：21.4mOhm @ 9A，10V，29.6mOhm @ 8.5A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15.5nC，19.6nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：640pF，890pF @ 15V

功率-最大值：2W（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

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基本参数：

电子零件型号：SH8MA4TB1

原始制造厂商：ROHM（罗姆）

技术标准参数：SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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