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规格参数
制造商产品型号:RGTV00TK65DGC11制造商:Rohm Semiconductor描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):45A电流-集电极脉冲(Icm):200A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A功率-最大值:94W开关能量:1.17mJ(开),940μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:104nC25°C时Td(开/关)值:41ns/142ns测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):102ns工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-3PFM,SC-93-3RGTV00TK65DGC11,ROHM(罗姆)产品一站式供应商。
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