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零件图片（仅供参考）
QS8J4TR
规格参数
  • 制造商产品型号：QS8J4TR
  • 制造商：Rohm Semiconductor
  • 描述：MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：56 毫欧 @ 4A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：800pF @ 10V
  • 功率-最大值：550mW
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SMD，扁平引线
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    基本参数：
  • 电子零件型号：QS8J4TR
  • 原始制造厂商：ROHM（罗姆）
  • 技术标准参数：MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询QS8J4TR的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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