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零件图片（仅供参考）
IMB1AT110
规格参数
  • 制造商产品型号：IMB1AT110
  • 制造商：Rohm Semiconductor
  • 描述：TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态：不適用於新設計
  • 晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器-基极(R1)：22 千欧
  • 电阻器-发射极(R2)：22 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：56 @ 5mA，5V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 500μA，10mA
  • 电流-集电极截止（最大值）：500nA
  • 频率-跃迁：-
  • 功率-最大值：300mW
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SC-74，SOT-457
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    基本参数：
  • 电子零件型号：IMB1AT110
  • 原始制造厂商：ROHM（罗姆）
  • 技术标准参数：TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • 产品应用分类：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
  • 点击此处查询IMB1AT110的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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